Tiền phạt cột đồng là một gói tương đối nhỏ so với các loại kết nối khác, do đó mang lại lợi thế đáng kể cho ngành đóng gói chip lật. Hơn nữa, công nghệ này có chi phí thấp, khiến nó trở thành lựa chọn tốt cho các ứng dụng chip lật cấp thấp. Do đó, cột đồng cao độ mịn đang trở nên phổ biến như một kết nối chính trong không gian này. Nó là một lựa chọn tuyệt vời để kết nối các bộ nhớ, bộ vi xử lý và mạch tương tự. Tuy nhiên, cột Cu sân tinh không phải không có hạn chế. Ví dụ, cột đồng phải được hình thành trên các miếng đệm của tấm wafer FET đáy. Điều này có nghĩa là trụ sẽ là liên kết truyền tải chính giữa khuôn và chất nền. Do đó, điều quan trọng là phải xem xét quy trình làm ướt thích hợp cho cột đồng.

Trụ đồng có hai bộ phận chính là trụ và đế lót. Cột là một tấm kim loại được hình thành trên bề mặt của một tấm đồng. Cây cột có thể có nắp bằng đồng hoặc bằng vàng. Điều quan trọng là phải xem xét quy trình làm ướt thích hợp để đảm bảo kết quả tốt. Nói chung, cột đồng sẽ có mức độ căng thẳng cao hơn so với cột được làm từ niken nguyên chất. Hiệu ứng này có thể được chống lại bằng cách thêm các lớp Ni và Cu. Ngoài ra, cột có thể có nắp bằng nhôm hoặc vàng để cải thiện đặc tính thấm ướt của nó.

Lớp lót có thể được tạo thành trên phần trên của lớp điện môi 60. Lớp lót cũng có thể được tạo thành trực tiếp trên các liên kết kim loại. Lớp lót cũng có thể được tạo thành dưới dạng vật liệu cản quang. Có thể sử dụng đồ gá tương ứng cho phương pháp lắp ráp này. Phương pháp này rất phù hợp với cột đồng có độ dốc tốt vì đây là một cách tốt để đảm bảo vị trí chính xác của cột. Lớp lót cũng có thể là một cách tốt để cải thiện mức độ căng thẳng tổng thể của cột trụ.

Cột đồng có thể là liên kết truyền tải chính giữa khuôn và chất nền, nhưng nó không phải là cách duy nhất để kết nối cả hai. Một cách khác là kết hợp hai công nghệ. Ví dụ, một trụ đồng bước nhỏ có thể được ghép nối với khuôn FET dưới và khuôn FET trên bằng cách sử dụng các công nghệ đã nói ở trên. Cũng có thể tích hợp cột vào chính chất nền. Điều này cho phép một số lượng lớn các kết nối trên một đơn vị diện tích của Silicon.